RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Comparez
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Note globale
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Note globale
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
11.5
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
39
77
Autour de -97% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.1
2,622.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
5300
Autour de 3.62 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
77
39
Vitesse de lecture, GB/s
3,405.2
11.5
Vitesse d'écriture, GB/s
2,622.0
9.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
19200
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
763
1881
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston 9905702-082.A00G 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G2G1 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-2666E 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-ON 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C14 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E86-3200D 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C16 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/8G 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Kingston 9905744-011.A00G 32GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9905598-040.A00G 16GB
Ramaxel Technology RMN1740HC48D8F667A 2GB
Corsair CMK16GX4M2C3000C15 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FD 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link