RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Сравнить
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB против Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Средняя оценка
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
11.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
39
77
Около -97% меньшая задержка
Выше скорость записи
9.1
2,622.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
5300
Около 3.62 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
77
39
Скорость чтения, Гб/сек
3,405.2
11.5
Скорость записи, Гб/сек
2,622.0
9.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
19200
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
763
1881
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C15 Series 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6J1 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Corsair CMK32GX4M2Z3200C16 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180C 16GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Transcend Information JM3200HLG-8G 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDR 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Apacer Technology 78.CAGP7.40C0B 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link