RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Comparez
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Note globale
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Note globale
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.6
14.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.0
9.7
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
19200
Autour de 1.33% bande passante supérieure
Raisons de considérer
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
32
33
Autour de -3% latence réduite
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
33
32
Vitesse de lecture, GB/s
17.6
14.1
Vitesse d'écriture, GB/s
12.0
9.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
25600
19200
Other
Description
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2910
2434
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB Comparaison des RAM
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Corsair CMR32GX4M4A2666C16 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Corsair CMD64GX4M4A2400C14 16GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Kingston CBD26D4S9D8ME-16 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9905702-184.A00G 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Corsair CMSX16GX4M1A2666C18 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GVK 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3466C16 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FF 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link