RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/4G 4GB
Comparez
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/4G 4GB
Note globale
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Note globale
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/4G 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.6
16.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
19200
Autour de 1.33% bande passante supérieure
Raisons de considérer
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/4G 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
23
33
Autour de -43% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.4
12.0
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/4G 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
33
23
Vitesse de lecture, GB/s
17.6
16.3
Vitesse d'écriture, GB/s
12.0
12.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
25600
19200
Other
Description
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2910
2637
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/4G 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/4G 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston 9905712-008.A00G 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESCK.M8FE 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Apacer Technology 78.DAGNN.4030B 16GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G26S8KRRGB16 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FB 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston 9905700-046.A00G 16GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Team Group Inc. Dark-1600 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link