RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/4G 4GB
Porównaj
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/4G 4GB
Wynik ogólny
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Wynik ogólny
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/4G 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.6
16.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
19200
Wokół strony 1.33% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/4G 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
33
Wokół strony -43% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.4
12.0
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/4G 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
33
23
Prędkość odczytu, GB/s
17.6
16.3
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
12.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
19200
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2910
2637
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/4G 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZR 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDD 16GB
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681S 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingston MSI24D4U7S8MB-8 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C16 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 4GB 4GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston 9905598-019.A00G 16GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3733 C17 Series 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRRD 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link