Comparaison de la RAM Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB

Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB

Note globale

Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB

Note globale

Différences Spécifications Commentaires

Raisons de considérer
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB

Bande passante mémoire plus élevée, mbps

21300 17000

Autour de 1.25% bande passante supérieure

Raisons de considérer
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB

En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns

22 36

Autour de -64% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s

17.7 15.8

Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s

13.7 11.8

Valeur moyenne dans les tests

Liste complète des spécifications techniques

Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB

Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB

Principales caractéristiques

Other

Description

PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15
Timings / Vitesse d'horloge

17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)

2497 3066

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns