Confronto tra le RAM Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB

Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB

Punteggio complessivo

Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB

Punteggio complessivo

Differenze Specifiche tecniche Commenti

Motivi da considerare
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB

Larghezza di banda di memoria superiore, mbps

21300 17000

Intorno 1.25% larghezza di banda superiore

Motivi da considerare
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB

Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns

22 36

Intorno -64% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s

17.7 15.8

Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s

13.7 11.8

Valore medio nei test

Elenco completo delle specifiche tecniche

Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB

Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB

Caratteristiche principali

Other

Descrizione

PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15
Temporizzazioni / Velocità di clock

17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)

2497 3066

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns