RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBD2 4GB
Comparez
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBD2 4GB
Note globale
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Note globale
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBD2 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
13.2
11.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.4
5.4
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBD2 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
32
37
Autour de -16% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBD2 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
37
32
Vitesse de lecture, GB/s
13.2
11.7
Vitesse d'écriture, GB/s
8.4
5.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2143
1424
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB Comparaison des RAM
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBD2 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-4000C18-16GVK 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
SK Hynix GKE160UD102408-2400 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMV16GX4M1L2400C16 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FADP 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Smart Modular SF4641G8CK8IWGKSEG 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19S/8G 8GB
Kingston 99U5428-046.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB
Corsair CM2X2048-6400C5 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link