RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Comparez
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Note globale
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Note globale
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
37
Autour de -32% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18.6
13.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.4
8.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
37
28
Vitesse de lecture, GB/s
13.2
18.6
Vitesse d'écriture, GB/s
8.4
15.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2143
3519
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB Comparaison des RAM
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRR 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMSX32GX4M1A2666C18 32GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZA 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Corsair CMT128GX4M8X3600C18 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Corsair CM4X4GF2400C16N2 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22/16G 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2J1 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9965604-008.D00G 16GB
Kingston 9905469-153.A00LF 4GB
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Corsair CMH32GX4M2D3600C18 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link