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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB
Comparez
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB
Note globale
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Note globale
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.4
7.8
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
22
37
Autour de -68% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.7
13.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
37
22
Vitesse de lecture, GB/s
13.2
15.7
Vitesse d'écriture, GB/s
8.4
7.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2143
2493
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB Comparaison des RAM
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Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
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Crucial Technology BL8G32C16S4B.8FE 8GB
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Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Apacer Technology 78.C2GFL.C720B 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Mushkin MB[A/B]4U240FFFF16G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRR 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBR2 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266681 4GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVK 16GB
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