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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Comparez
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Note globale
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Note globale
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
37
38
Autour de 3% latence réduite
Raisons de considérer
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.4
13.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.7
8.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
10600
Autour de 2.42 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
37
38
Vitesse de lecture, GB/s
13.2
16.4
Vitesse d'écriture, GB/s
8.4
13.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
25600
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2143
3206
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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