RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G2G1 8GB
Comparez
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G2G1 8GB
Note globale
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Note globale
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G2G1 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
7.5
6.9
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G2G1 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
24
28
Autour de -17% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.3
12.7
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
8500
Autour de 2.26 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G2G1 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
28
24
Vitesse de lecture, GB/s
12.7
14.3
Vitesse d'écriture, GB/s
7.5
6.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
8500
19200
Other
Description
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1988
2191
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Comparaison des RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G2G1 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTZRC 8GB
Mushkin 996902 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Ramaxel Technology RMUA5120MB86H9F2400 4GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FE 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston 9905678-029.A00G 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRS 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Corsair CMK8GX4M1D2666C16 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Hewlett-Packard 7EH64AA#ABC 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVK 16GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Corsair CMH16GX4M2E3200C16 8GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8D 8GB
Crucial Technology CB8GU2666.C8ET 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14T 8GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston KHX4133C19D4/8GX 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link