RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G2G1 8GB
Porównaj
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G2G1 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G2G1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.5
6.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G2G1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
28
Wokół strony -17% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.3
12.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
8500
Wokół strony 2.26 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G2G1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
24
Prędkość odczytu, GB/s
12.7
14.3
Prędkość zapisu, GB/s
7.5
6.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
19200
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1988
2191
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G2G1 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Ramaxel Technology RMSA3300MH78HBF-2666 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS16G4D32AEST.M16FE 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD64GX4M4A2400C14 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBR1 8GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Corsair CMW32GX4M2C3200C16 16GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FE 16GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C16 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVRB 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CMK64GX4M4B3000C15 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G24002 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMK64GX4M4C3000C16 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BZ4SHD 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link