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Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRS 8GB
Comparez
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs G Skill Intl F4-3200C14-8GTRS 8GB
Note globale
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Note globale
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRS 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
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Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
18.7
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRS 8GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
56
Autour de -100% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.5
1,813.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRS 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
56
28
Vitesse de lecture, GB/s
4,387.7
18.7
Vitesse d'écriture, GB/s
1,813.5
15.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
693
3394
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB Comparaison des RAM
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Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FJ 16GB
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SK Hynix GKE800SO51208-2133AH 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Kingston CBD24D4S7D8MA-16 16GB
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Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD2 4GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE1 8GB
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