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Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMU16GX4M2A2666C16 8GB
Comparez
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB vs Corsair CMU16GX4M2A2666C16 8GB
Note globale
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Note globale
Corsair CMU16GX4M2A2666C16 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
30
Autour de 10% latence réduite
Raisons de considérer
Corsair CMU16GX4M2A2666C16 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17
13.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.7
8.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMU16GX4M2A2666C16 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
27
30
Vitesse de lecture, GB/s
13.4
17.0
Vitesse d'écriture, GB/s
8.4
12.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2275
3142
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB Comparaison des RAM
Samsung M391B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMR32GX4M2C3333C16 16GB
Corsair CMU16GX4M2A2666C16 8GB Comparaison des RAM
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB
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