Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB

Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB

Note globale
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Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB

Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB

Note globale
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Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB

Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB

Différences

  • En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
    33 left arrow 49
    Autour de -48% latence réduite
  • Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
    16.9 left arrow 10.2
    Valeur moyenne dans les tests
  • Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
    10.4 left arrow 8.1
    Valeur moyenne dans les tests
  • Bande passante mémoire plus élevée, mbps
    25600 left arrow 12800
    Autour de 2 bande passante supérieure

Spécifications

Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Principales caractéristiques
  • Type de mémoire
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latence dans PassMark, ns
    49 left arrow 33
  • Vitesse de lecture, GB/s
    10.2 left arrow 16.9
  • Vitesse d'écriture, GB/s
    8.1 left arrow 10.4
  • Largeur de bande de la mémoire, mbps
    12800 left arrow 25600
Other
  • Description
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
  • Timings / Vitesse d'horloge
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
    2465 left arrow 3035
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Dernières comparaisons