RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Confronto
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
33
49
Intorno -48% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.9
10.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.4
8.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
12800
Intorno 2 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
49
33
Velocità di lettura, GB/s
10.2
16.9
Velocità di scrittura, GB/s
8.1
10.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
25600
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2465
3035
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB Confronto tra le RAM
Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YK0 8GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMW8GX4M1D3000C16 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3000 16GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Kingston 9965669-032.A00G 16GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Neo Forza NMUD480E86-3200 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M16FE1 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Transcend Information AQD-SD4U4GN21-SG 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Ramaxel Technology RMSA3340MB88HBF-3200 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Apacer Technology 78.C1GQB.4032B 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADG 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CM4X16GC3600C18K2D 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link