RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Comparez
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB vs OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Note globale
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Note globale
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
39
47
Autour de -21% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.1
10.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.6
7.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
12800
Autour de 2 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
47
39
Vitesse de lecture, GB/s
10.4
15.1
Vitesse d'écriture, GB/s
7.8
12.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
25600
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2169
3000
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB Comparaison des RAM
V-Color Technology Inc. TD8G16C10-OC18AK 8GB
Kingston 9905430-400.A00LF 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Ramaxel Technology RMN1740HC48D8F667A 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/8G 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZB 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Corsair CMK4GX4M1D2400C14 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 99U5713-001.A00G 4GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CM4X8GD3000C15K4 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3866C18 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.16FE1 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
SK Hynix GKE800UD102408-2133 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Smart Modular SF4722G4CKHH6DFSDS 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link