RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Porównaj
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB vs OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Wynik ogólny
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
39
47
Wokół strony -21% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.1
10.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.6
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
12800
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
47
39
Prędkość odczytu, GB/s
10.4
15.1
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
12.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
25600
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2169
3000
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB Porównanie pamięci RAM
V-Color Technology Inc. TD8G16C10-OC18AK 8GB
Kingston 9905430-400.A00LF 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston 9905622-055.A00G 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZN 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180X 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Kingston KY7N41-MIE 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4133 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRR 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Maxsun MSD48G30Q3 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C15-8GTZ 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link