RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMH32GX4M2E3200C16 16GB
Comparez
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Corsair CMH32GX4M2E3200C16 16GB
Note globale
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Note globale
Corsair CMH32GX4M2E3200C16 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
18.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,404.5
13.8
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Corsair CMH32GX4M2E3200C16 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
34
104
Autour de -206% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMH32GX4M2E3200C16 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
104
34
Vitesse de lecture, GB/s
3,192.0
18.4
Vitesse d'écriture, GB/s
2,404.5
13.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Vitesse d'horloge
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
786
3447
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Corsair CMH32GX4M2E3200C16 16GB Comparaison des RAM
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMU16GX4M2C3000C15 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston 9905702-012.A00G 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FD1 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Kingston HP26D4S9S8MD-8 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMK32GX4M4K3600C16 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK32GX4M2L3200C16 16GB
G Skill Intl F3-1600C9-4GSL 4GB
G Skill Intl F3-12800CL9-4GBRL 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston 9965600-018.A00G 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CM4X8GF2133C15S2 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FD 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRK 4GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Corsair CMW32GX4M2C3466C16 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link