RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FBD 4GB
Comparez
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FBD 4GB
Note globale
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Note globale
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FBD 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
16.5
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,404.5
12.9
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FBD 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
23
104
Autour de -352% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
6400
Autour de 3 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FBD 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
104
23
Vitesse de lecture, GB/s
3,192.0
16.5
Vitesse d'écriture, GB/s
2,404.5
12.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
19200
Other
Description
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Vitesse d'horloge
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
786
2709
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FBD 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston XN205T-HYD2 16GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Corsair CMK32GX4M2B3200C16 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Corsair CM4X16GC3600C18K2D 16GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE1 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Samsung M393A8K40B21-CTC 64GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Kingston X3XCFP-HYA 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Corsair CMW16GX4M1Z3600C18 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Corsair CMR32GX4M4C3200C16 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FE 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FH 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9965662-015.A00G 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Wilk Elektronik S.A. GX3236D464S/8GSBS1 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link