RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFT 16GB
Comparez
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs G Skill Intl F4-2400C16-16GFT 16GB
Note globale
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Note globale
G Skill Intl F4-2400C16-16GFT 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
17.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,404.5
14.8
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-2400C16-16GFT 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
24
104
Autour de -333% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
6400
Autour de 3 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFT 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
104
24
Vitesse de lecture, GB/s
3,192.0
17.9
Vitesse d'écriture, GB/s
2,404.5
14.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
19200
Other
Description
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
786
3231
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFT 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FB 32GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston 9965600-012.A02G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZNC 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-DA---------- 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFT 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Panram International Corporation M424016 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMU64GX4M4A2666C16 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GRKD 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link