RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
Comparez
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
Note globale
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Note globale
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
38
104
Autour de -174% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
8.7
3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
7.0
2,404.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
6400
Autour de 3.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
104
38
Vitesse de lecture, GB/s
3,192.0
8.7
Vitesse d'écriture, GB/s
2,404.5
7.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
21300
Other
Description
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
no data
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
786
1999
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVK 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Corsair CMK8GX4M2B4266C19 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZR 32GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4500 8GB
Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CM4X4GD3000C16K2 4GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB
Kingston 9905678-024.A00G 4GB
Corsair CMK4GX4M1A2400C16 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G26S8KRRGB16 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKK 8GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Corsair CM4X4GF2133C15S2 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link