RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
AMD R7S44G2606U1S 4GB
Comparez
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs AMD R7S44G2606U1S 4GB
Note globale
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Note globale
AMD R7S44G2606U1S 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
18.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,201.1
14.3
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
AMD R7S44G2606U1S 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
20
74
Autour de -270% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
6400
Autour de 3.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
AMD R7S44G2606U1S 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
74
20
Vitesse de lecture, GB/s
4,178.4
18.9
Vitesse d'écriture, GB/s
2,201.1
14.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
21300
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
508
2707
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Comparaison des RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
AMD R7S44G2606U1S 4GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Corsair CMK128GX4M4A2400C16 32GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
AMD R7S44G2606U1S 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FJ 8GB
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB
Good Wealth Technology Ltd. KETECH 8GB
Kingston 99U5603-002.A00G 4GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Micron Technology 8G2666CL19 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
SK Hynix V-GeN D4H8GL26A8TX5 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 8GB 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
V-Color Technology Inc. TD8G16C16-UHK 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CMR16GX4M2D3000C16 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link