RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
AMD R7S44G2606U1S 4GB
Confronto
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs AMD R7S44G2606U1S 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Punteggio complessivo
AMD R7S44G2606U1S 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
18.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,201.1
14.3
Valore medio nei test
Motivi da considerare
AMD R7S44G2606U1S 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
20
74
Intorno -270% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
6400
Intorno 3.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
AMD R7S44G2606U1S 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
74
20
Velocità di lettura, GB/s
4,178.4
18.9
Velocità di scrittura, GB/s
2,201.1
14.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
21300
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
508
2707
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Confronto tra le RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
AMD R7S44G2606U1S 4GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GRS 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FE 8GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CMW64GX4M8A2666C16 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BZISHC 16GB
Apacer Technology 75.A73AA.G03 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FD2 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDR2 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Corsair CM4B16G1J2400A16K2-O 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZSW 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link