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Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Comparez
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Note globale
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Note globale
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
10.2
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
50
74
Autour de -48% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
7.3
2,201.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
6400
Autour de 3 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
74
50
Vitesse de lecture, GB/s
4,178.4
10.2
Vitesse d'écriture, GB/s
2,201.1
7.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
19200
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
508
2248
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Comparaison des RAM
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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