RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Porównaj
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Wynik ogólny
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
10.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
50
74
Wokół strony -48% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.3
2,201.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
74
50
Prędkość odczytu, GB/s
4,178.4
10.2
Prędkość zapisu, GB/s
2,201.1
7.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
508
2248
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E85-2666E 8GB
Kingston 9905402-665.A00LF 4GB
JUHOR JHD3000U1908JG 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Avant Technology J641GU42J5213N0 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Corsair CMV32GX4M1A2666C18 32GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston KHX2400C14S4/4G 4GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUC0B 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FAD 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CM4X16GE2400C16K4 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Apacer Technology 78.CAGPW.40C0B 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FR 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link