RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB
Comparez
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB vs EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB
Note globale
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Note globale
EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
17000
Autour de 1.13% bande passante supérieure
Raisons de considérer
EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
23
24
Autour de -4% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.3
14.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.8
10.6
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
24
23
Vitesse de lecture, GB/s
14.9
17.3
Vitesse d'écriture, GB/s
10.6
12.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
19200
17000
Other
Description
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2196
2942
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston 9905712-008.A00G 16GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Corsair CMD8GX4M2B3200C16 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FE 8GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Avant Technology J642GU42J5213N4 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston 9905700-024.A00G 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
SK Hynix HMAA4GU6MJR8N-VK 32GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-16 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRG 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link