RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Comparez
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Note globale
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Note globale
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
40
Autour de -54% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
23.7
12.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
18.3
8.9
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
40
26
Vitesse de lecture, GB/s
12.3
23.7
Vitesse d'écriture, GB/s
8.9
18.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1789
4124
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Comparaison des RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB Comparaison des RAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FJ 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
INTENSO M418039 8GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston 9905678-043.A00G 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZKW 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GVK 32GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVR 16GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Avant Technology W6451U66J5213ND 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMR64GX4M4C3333C16 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link