RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Сравнить
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB против Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
40
Около -54% меньшая задержка
Выше скорость чтения
23.7
12.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
18.3
8.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
40
26
Скорость чтения, Гб/сек
12.3
23.7
Скорость записи, Гб/сек
8.9
18.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1789
4124
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Сравнения RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB Сравнения RAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Kingston 9905678-065.A00G 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Kingston 99U5704-001.A00G 4GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Micron Technology AFLD48VH1P 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston 9905625-066.A00G 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXF 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMR128GX4M8C3000C16 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
AMD R748G2606U2S 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Apacer Technology 76.D305G.D390B 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link