RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
Comparez
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
Note globale
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Note globale
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
34
40
Autour de -18% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.1
12.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.9
8.9
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
40
34
Vitesse de lecture, GB/s
12.3
14.1
Vitesse d'écriture, GB/s
8.9
9.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1789
2562
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Comparaison des RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXKB 16GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FD 16GB
Corsair CMR32GX4M2F3600C18 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Kingston 9905630-039.A00G 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Corsair CMK8GX4M2B4000C19 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GFT 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKW 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Corsair CM4X8GF3000C15K4 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVKD 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link