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Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
Comparar
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
Pontuação geral
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Pontuação geral
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
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Razões a considerar
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
34
40
Por volta de -18% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.1
12.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.9
8.9
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
12800
Por volta de 1.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
40
34
Velocidade de leitura, GB/s
12.3
14.1
Velocidade de escrita, GB/s
8.9
9.9
Largura de banda de memória, mbps
12800
21300
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1789
2562
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Comparações de RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
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Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CM4X4GD3000C15K4 4GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FHD 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMV4GX4M1A2666C18 4GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
SK Hynix HMA81GU6MFR8N-UH 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266641 4GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Kingston 9965600-033.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
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