RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Comparez
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Note globale
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Note globale
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
18
30
Autour de -67% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
20.4
10.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
18.1
6.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
8500
Autour de 2.26 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
30
18
Vitesse de lecture, GB/s
10.6
20.4
Vitesse d'écriture, GB/s
6.8
18.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
8500
19200
Other
Description
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1479
3529
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Comparaison des RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMK8GX4M1A2400C16 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CMK16GX4M2L3000C15 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE1 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905624-016.A00G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMK64GX4M4C3333C16 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GSQ 8GB
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Transcend Information JM2666HSB-16G 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
Micron Technology 16HTF25664HY-800G1 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMK64GX4M4B3333C16 16GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRR 4GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link