RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Porównaj
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Wynik ogólny
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
18
30
Wokół strony -67% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.4
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
18.1
6.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
8500
Wokół strony 2.26 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
30
18
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
20.4
Prędkość zapisu, GB/s
6.8
18.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
19200
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1479
3529
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Kingston HP26D4S9S8HJ-8 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Apacer Technology 78.DAGNN.4030B 16GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Corsair CMK32GX4M4B3866C18 8GB
SK Hynix HMT125U6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMK8GX4M1Z3600C18 8GB
A-DATA Technology AD5U480016G-B 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMK16GX4M1A2400C16 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CMK8GX4M1Z3600C18 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CMH32GX4M2Z3600C18 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston ACR26D4U9D8ME-16 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link