Comparaison de la RAM SK Hynix DDR2 800 2G 2GB vs Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB

SK Hynix DDR2 800 2G 2GB vs Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB

Note globale

SK Hynix DDR2 800 2G 2GB

Note globale

Différences Spécifications Commentaires

Raisons de considérer
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB

Raisons de considérer
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB

En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns

37 77

Autour de -108% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s

12.6 1,884.0

Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps

19200 6400

Autour de 3 bande passante supérieure

Liste complète des spécifications techniques

SK Hynix DDR2 800 2G 2GB

Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB

Principales caractéristiques

Other

Description

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge

5-5-5-15 / 800 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)

564 2808

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns