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SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
比较
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB vs Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
总分
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
总分
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
16
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
37
77
左右 -108% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
12.6
1,884.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
77
37
读取速度,GB/s
2,936.9
16.0
写入速度,GB/s
1,884.0
12.6
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
564
2808
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB RAM的比较
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Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-4000C15-8GVK 8GB
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Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-XN 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston KHX2400C12D4/4GX 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMH32GX4M4E3200C16 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB
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