RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Comparez
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB vs Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Note globale
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Note globale
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
18.5
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
58
77
Autour de -33% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.5
1,884.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
6400
Autour de 3 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
77
58
Vitesse de lecture, GB/s
2,936.9
18.5
Vitesse d'écriture, GB/s
1,884.0
9.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
19200
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
564
1998
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB Comparaison des RAM
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston KHX3466C19D4/8G 8GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FE 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TFTD 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRR 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Transcend Information JM3200HLG-8G 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Apacer Technology 78.D2GF2.AU30B 16GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMD32GX4M2C3466C16W 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-2400C14-4GRK 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link