RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Comparez
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Note globale
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Note globale
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
18
43
Autour de -139% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
20.4
10.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
18.1
6.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
43
18
Vitesse de lecture, GB/s
10.7
20.4
Vitesse d'écriture, GB/s
6.8
18.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1314
3529
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB Comparaison des RAM
Wilk Elektronik S.A. GR1600S364L11/8G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston HP26D4U9S8ME-8 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K2HU416 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZR 32GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMW128GX4M4D3600C18 32GB
JUHOR JHD2666U1908JG 8GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
Crucial Technology CT51264BF1339J.M8F 4GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSK 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston 9905701-004.A00G 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link