SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB

SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB

Wynik ogólny
star star star star star
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB

SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB

Wynik ogólny
star star star star star
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB

Różnice

  • Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
    18 left arrow 43
    Wokół strony -139% niższe opóźnienia
  • Większa szybkość odczytu, GB/s
    20.4 left arrow 10.7
    Średnia wartość w badaniach
  • Większa szybkość zapisu, GB/s
    18.1 left arrow 6.8
    Średnia wartość w badaniach
  • Wyższa przepustowość pamięci, mbps
    19200 left arrow 10600
    Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma

Specyfikacje

Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Główna charakterystyka
  • Typ pamięci
    DDR3 left arrow DDR4
  • Opóźnienie w PassMark, ns
    43 left arrow 18
  • Prędkość odczytu, GB/s
    10.7 left arrow 20.4
  • Prędkość zapisu, GB/s
    6.8 left arrow 18.1
  • Szerokość pasma pamięci, mbps
    10600 left arrow 19200
Other
  • Opis
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
  • Taktowanie / szybkość zegara
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
    1314 left arrow 3529
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Najnowsze porównania