RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB
Comparez
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB vs G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB
Note globale
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Note globale
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
31
43
Autour de -39% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.5
12.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.6
8.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
43
31
Vitesse de lecture, GB/s
12.3
17.5
Vitesse d'écriture, GB/s
8.1
13.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1706
3371
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB Comparaison des RAM
OCZ OCZ3G1600LV2G 2GB
OCZ OCZ3G16002G 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBR 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FAD 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Ramaxel Technology RMUA5210ME88HCF-3200 32GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FADP 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVR 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FP 16GB
Mushkin 991586 2GB
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
Kingston 99U5428-101.A00LF 8GB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Corsair CMU32GX4M2A2666C16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C14M 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Corsair CMU16GX4M2A2400C16 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link