RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB
Confronto
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB vs G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
31
43
Intorno -39% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.5
12.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.6
8.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
43
31
Velocità di lettura, GB/s
12.3
17.5
Velocità di scrittura, GB/s
8.1
13.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1706
3371
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB Confronto tra le RAM
OCZ OCZ3G1600LV2G 2GB
OCZ OCZ3G16002G 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FADG 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSK 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 16GB 16G
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FDD2 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston 9965639-002.A01G 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.M8FE 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
InnoDisk Corporation 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Kingston KHX2666C16D4/4G 4GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Corsair CMK64GX4M4A2400C16 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Segnala un bug
×
Bug description
Source link