RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Comparez
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Note globale
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Note globale
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
36
37
Autour de -3% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.3
9.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.2
7.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
14900
Autour de 1.43 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
37
36
Vitesse de lecture, GB/s
9.8
17.3
Vitesse d'écriture, GB/s
7.2
12.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
14900
21300
Other
Description
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-10-9-28 / 1866 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2065
3169
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB Comparaison des RAM
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
SK Hynix HMT351R7EFR4A-H9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FJ 16GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FADG 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair CMR16GX4M2A2666C16 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Kingston 9905625-096.A00G 16GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Corsair CMK32GX4M2C3200C18 16GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3200 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FB 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BUYS 4GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link