RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Confronto
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Punteggio complessivo
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
36
37
Intorno -3% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.3
9.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.2
7.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
14900
Intorno 1.43 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
37
36
Velocità di lettura, GB/s
9.8
17.3
Velocità di scrittura, GB/s
7.2
12.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
14900
21300
Other
Descrizione
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-10-9-28 / 1866 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2065
3169
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB Confronto tra le RAM
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
SK Hynix HMT351R7EFR4A-H9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.8FE 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FF 4GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.M16FAD 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FADG 4GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14T 8GB
Infineon (Siemens) 64T32000HU3.7A 256MB
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Kingston KHX2666C15/8G 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Hewlett-Packard 7EH61AA# 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEHLSBG 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link