RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB
Comparez
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB
Note globale
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Note globale
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
11.8
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
31
63
Autour de -103% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.0
1,447.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
5300
Autour de 3.21 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
63
31
Vitesse de lecture, GB/s
3,231.0
11.8
Vitesse d'écriture, GB/s
1,447.3
10.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
17000
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
478
2605
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Comparaison des RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KF3600C18D4/16GX 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FF 4GB
Crucial Technology CT25664BA1339.M8FK 2GB
Asgard VMA45UG-MIC1U22T2 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Kingston 9905702-071.A00G 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GVKB 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRB 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3200 4GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Kingston 9965604-008.D00G 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Kingston 99U5471-025.A00LF 4GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Kingston 99U5702-095.A00G 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston KHX2400C12D4/16GX 16GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Corsair CMK64GX4M4D3000C16 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link