RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB
Сравнить
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB против G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB
-->
Средняя оценка
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
11.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
31
63
Около -103% меньшая задержка
Выше скорость записи
10.0
1,447.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
63
31
Скорость чтения, Гб/сек
3,231.0
11.8
Скорость записи, Гб/сек
1,447.3
10.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
478
2605
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Сравнения RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G28MA-21P 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Corsair CMT32GX4M4C3200C14 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Smart Modular SF4641G8CK8I6GKSEG 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston 9965600-012.A01G 16GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Kingston 9905702-071.A00G 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingston 9905598-019.A00G 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Essencore Limited KD4AGS88C-32N220D 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Mushkin 99[2/7/4]202F 4GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C18 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Corsair CMK8GX4M2B4133C19 4GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link