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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C18 Series 16GB
Comparez
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C18 Series 16GB
Note globale
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Note globale
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C18 Series 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
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Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
15.5
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C18 Series 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
36
63
Autour de -75% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.8
1,447.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
5300
Autour de 4.02 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C18 Series 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
63
36
Vitesse de lecture, GB/s
3,231.0
15.5
Vitesse d'écriture, GB/s
1,447.3
12.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
21300
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
478
3050
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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