RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C18 Series 16GB
Comparar
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C18 Series 16GB
Pontuação geral
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Pontuação geral
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C18 Series 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
15.5
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C18 Series 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
36
63
Por volta de -75% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.8
1,447.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
5300
Por volta de 4.02 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C18 Series 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
63
36
Velocidade de leitura, GB/s
3,231.0
15.5
Velocidade de escrita, GB/s
1,447.3
12.8
Largura de banda de memória, mbps
5300
21300
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
478
3050
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Comparações de RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C18 Series 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Ramaxel Technology RMSA3260MD78HAF-2666 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston KHX3200C16D4/32GX 32GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G3A2 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
SK Hynix HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GVK 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVSB 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.8FE 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-XN 16GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Kingston MSI24D4D4S8MB-8 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link