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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB
Comparez
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB
Note globale
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Note globale
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
18.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
870.4
14.8
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
87
Autour de -211% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
5300
Autour de 3.21 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
87
28
Vitesse de lecture, GB/s
3,155.6
18.1
Vitesse d'écriture, GB/s
870.4
14.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
17000
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
417
3564
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CAS Latency (CL) *
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calculate
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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