RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB
Comparar
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB
Pontuação geral
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Pontuação geral
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
18.1
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
870.4
14.8
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
87
Por volta de -211% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
5300
Por volta de 3.21 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
87
28
Velocidade de leitura, GB/s
3,155.6
18.1
Velocidade de escrita, GB/s
870.4
14.8
Largura de banda de memória, mbps
5300
17000
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
417
3564
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Comparações de RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB Comparações de RAM
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Crucial Technology CT25664BA1339.M8FK 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FE 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8G
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRS 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Mushkin 99[2/7/4]204[F/T] 4GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
SK Hynix HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
V-GEN D4H8GL32A8TS 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FD 8GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200D 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingmax Semiconductor GZAG43F-18---------- 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAD1 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.16FE 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link