Comparaison de la RAM Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB

Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB

Note globale

Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB

Note globale

Différences Spécifications Commentaires

Raisons de considérer
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB

Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB

En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns

27 96

Autour de -256% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s

10.5 1,336.0

Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps

17000 6400

Autour de 2.66 bande passante supérieure

Liste complète des spécifications techniques

Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB

Principales caractéristiques

Other

Description

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge

5-5-5-15 / 800 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)

438 2409

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns